IDT70V9369L
High-Speed 3.3V 16K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Pin Names
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Left Port
CE 0L, CE 1L
R/ W L
OE L
A 0L - A 13L
I/O 0L - I/O 17L
CLK L
UB L
LB L
ADS L
CNTEN L
CNTRST L
FT /PIPE L
Right Port
CE 0R, CE 1R
R/ W R
OE R
A 0R - A 13R
I/O 0R - I/O 17R
CLK R
UB R
LB R
ADS R
CNTEN R
CNTRST R
FT /PIPE R
V DD
V SS
Names
Chip Enables (2)
Read/Write Enable
Output Enable
Address
Data Input/Output
Clock
Upper Byte Select (1)
Lower Byte Select (1)
Address Strobe Enable
Counter Enable
Counter Reset
Flow-Through / Pipeline
Power (3.3V)
Ground (0V)
5648 tbl 01
NOTES:
1. LB and UB are single buffered regardless of state of FT /PIPE.
2. CE 0 and CE 1 are single buffered when FT /PIPE = V IL ,
CE 0 and CE 1 are double buffered when FT /PIPE = V IH, i.e., the signals
take two cycles to deselect.
Truth Table I—Read/Write and Enable Control (1,2,3)
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
CLK
X
CE 0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE 1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
LB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
R/ W
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
Upper Byte
I/O 9-17 (4)
High-Z
High-Z
High-Z
DATA IN
High-Z
DATA IN
DATA OUT
High-Z
DATA OUT
High-Z
Lower Byte
I/O 0-8 (5)
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
DATA IN
DATA IN
High-Z
DATA OUT
DATA OUT
High-Z
Deselected –Power Down
Deselected –Power Down
Both Bytes Deselected
Write to Upper Byte Only
Write to Lower Byte Only
Write to Both Bytes
Read Upper Byte Only
Read Lower Byte Only
Read Both Bytes
Outputs Disabled
MODE
5648 tbl 02
NOTES:
1. "H" = V IH, "L" = V IL, "X" = Don't Care.
2. ADS , CNTEN , CNTRST = X.
3. OE is an asynchronous input signal.
3
6.42
相关PDF资料
IDT70V9389L6PRF IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP
IDT71016S20YGI IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
IDT71024S25TYGI IC SRAM 1MBIT 25NS 32SOJ
IDT71124S20YGI IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ
IDT71256L35Y/2996 IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ
IDT71256SA25PZGI IC SRAM 256KBIT 25NS 28TSOP
IDT71321LA20TFG IC SRAM 16KBIT 20NS 64STQFP
IDT71342LA25PFI IC SRAM 32KBIT 25NS 64TQFP
相关代理商/技术参数
IDT70V9369L7PFI8 功能描述:IC SRAM 288KBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V9369L9PF 功能描述:IC SRAM 288KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V9369L9PF8 功能描述:IC SRAM 288KBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V9369L9PFG 功能描述:IC SRAM 288KBIT 9NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V9369L9PFG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 288KBIT 9NS 100TQFP
IDT70V9379L12PRF 功能描述:IC SRAM 576KBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V9379L12PRF8 功能描述:IC SRAM 576KBIT 12NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V9379L6PRF 功能描述:IC SRAM 576KBIT 6NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8